STMicroelectronics SCTW35N65G2V
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SCTW35N65G2V
2381-SCTW35N65G2V
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
--最小包装量--
SCTW35N65G2V详情
STMicroelectronics SCTW35N65G2V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
45A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V 20V
Power Dissipation (Max)
240W Tc
操作温度
-55°C~200°C TJ
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 20A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1370pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
73nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
+22V, -10V
RoHS状态
符合RoHS标准
SCTW35N65G2V拓展信息
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