STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4

包装/外壳

HiP247-4LL

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247-4

RoHS

Details

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Id - Continuous Drain Current

45 A

Rds On - Drain-Source Resistance

70 mOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Package

Bulk

Base Product Number

SCTWA40

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

36A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

厂商

STMicroelectronics

Power Dissipation (Max)

277W (Tc)

Product Status

活跃

Continuous Drain Current Id

45A

Package Type

HiP247-4

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

引脚数量

4

功率耗散

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 20A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1233 pF @ 800 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61 nC @ 18 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

+18V, -5V

信道型

N通道

场效应管特性

-