STMicroelectronics SD56120
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SD56120
2381-SD56120
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
M246
大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin Case M-246 Tube
1最小包装量--
SD56120详情
STMicroelectronics SD56120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
底架
Screw
包装/外壳
M246
引脚数
5
Number of Elements
2
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
65V
最大功率耗散
217W
终端形式
FLAT
额定电流
14A
频率
860MHz
基本部件号
SD56120
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDFM-F4
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
217W
箱体转运
SOURCE
测试电流
400mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
65V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
增益
16dB
最大输出功率
100W
漏源击穿电压
65V
输入电容
82pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SD56120拓展信息
STMicroelectronics
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