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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 SD56120
SD56120
SD56120

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STMicroelectronics SD56120

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型号

SD56120

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-SD56120

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

M246

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin Case M-246 Tube

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SD56120
SD56120 STMicroelectronics Trans RF MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin Case M-246 Tube

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SD56120详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics SD56120重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    NRND (Last Updated: 8 months ago)

  • 底架

    Screw

  • 包装/外壳

    M246

  • 引脚数

    5

  • Number of Elements

    2

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    200°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 电压 - 额定直流

    65V

  • 最大功率耗散

    217W

  • 终端形式

    FLAT

  • 额定电流

    14A

  • 频率

    860MHz

  • 基本部件号

    SD56120

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDFM-F4

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    217W

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    400mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    65V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    14A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 增益

    16dB

  • 最大输出功率

    100W

  • 漏源击穿电压

    65V

  • 输入电容

    82pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    28V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics SD56120.

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公司资质

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AS
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