STMicroelectronics STB160NF3LLT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ III

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

30V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

160A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB160N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 4.5V

上升时间

350ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

120 ns

连续放电电流(ID)

160A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640A

雪崩能量等级（Eas）

1200 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅