STMicroelectronics STB20NM60
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STB20NM60
2381-STB20NM60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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20A, 600V, 0.29ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
--最小包装量--
STB20NM60详情
STMicroelectronics STB20NM60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
42 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
192 W
接通延迟时间
25 ns
上升时间
20 ns
连续放电电流(ID)
20 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
输入电容
1.5 nF
漏源电阻
290 mΩ
长度
10.4 mm
高度
4.6 mm
宽度
9.35 mm
辐射硬化
无
STB20NM60拓展信息
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