注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.177257
10
¥19.978544
100
¥18.84768
500
¥17.780835
1000
¥16.774368
STMicroelectronics STB33N60M6
- 收藏
- 对比
STB33N60M6
2381-STB33N60M6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

Transistor MOSFET N-Channel 600V 25A 3-Pin D2PAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STB33N60M6详情
STMicroelectronics STB33N60M6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D²PAK (TO-263)
包装数量
1
Continuous Drain Current Id
25
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Tradename
MDmesh
RoHS
Details
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
STB33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Product Status
活跃
系列
Mdmesh M6
包装
Reel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
子类别
MOSFETs
技术
Si
样式
Stopper
功率耗散
190
配件类型
Cam
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1515 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33.4 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±25V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
完成
Zinc-Plated
产品类别
MOSFET
凸轮长度
45.0 mm
STB33N60M6拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics






哦! 它是空的。