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1

￥13.045314
10

￥12.306902
100

￥11.610283
500

￥10.953099
1000

￥10.333115

STMicroelectronics STB35N65DM2

Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STB35N65DM2
Price: 13.05 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STB35N65DM2

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STB35N65DM2

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28

起订量

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STB35N65DM2 STMicroelectronics NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28

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STB35N65DM2详情

技术参数

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STMicroelectronics STB35N65DM2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

17 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

210W Tc
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

MDmesh™ M2
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

STB35N
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

650V
Vgs（最大值）

±25V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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STB35N65DM2拓展信息

热销零件