STMicroelectronics STB47N60DM6AG

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

AVALANCE RATED

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

基本部件号

STB47N

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

36A

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

137A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250W

RoHS状态

符合RoHS标准