STMicroelectronics STB50N25M5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

35 ns

Power Dissipation (Max)

110W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

MDmesh™ V

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

65mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB50N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

上升时间

44ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

14A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28A

漏源击穿电压

250V

双电源电压

250V

栅源电压

4 V

高度

4.6mm

长度

10.75mm

宽度

10.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅