STB50N65DM6
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STMicroelectronics STB50N65DM6

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型号

STB50N65DM6

utmel 编号

2381-STB50N65DM6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-Channel 650V 33A 3-Pin D2PAK T/R

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STB50N65DM6
STB50N65DM6 STMicroelectronics Transistor MOSFET N-Channel 650V 33A 3-Pin D2PAK T/R

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STB50N65DM6详情

STMicroelectronics STB50N65DM6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    D²PAK (TO-263)

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Continuous Drain Current Id

    33

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1000

  • Manufacturer

    STMicroelectronics

  • Brand

    STMicroelectronics

  • Tradename

    MDmesh

  • RoHS

    Details

  • Base Product Number

    STB50

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    33A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    250W (Tc)

  • 操作温度

    -10°C ~ 70°C

  • 系列

    SXT214

  • 包装

    Reel

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

  • 类型

    兆赫晶体

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 频率

    26 MHz

  • 频率稳定性

    ±20ppm

  • ESR(等效串联电阻)

    100 Ohms

  • 负载电容

    12pF

  • 操作模式

    Fundamental

  • 功率耗散

    250

  • 频率容差

    ±10ppm

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    91mOhm @ 16.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.75V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2300 pF @ 100 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    52.5 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650 V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 信道型

    N通道

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    MOSFET

  • 座位高度(最大)

    0.020 (0.50mm)

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技术文档: STMicroelectronics STB50N65DM6.

STB50N65DM6拓展信息

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