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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥42.842243
10
¥40.417206
100
¥38.129446
500
¥35.971173
1000
¥33.935068
STMicroelectronics STB50N65DM6
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- 对比
STB50N65DM6
2381-STB50N65DM6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-SMD, No Lead
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Transistor MOSFET N-Channel 650V 33A 3-Pin D2PAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STB50N65DM6详情
STMicroelectronics STB50N65DM6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
D²PAK (TO-263)
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Continuous Drain Current Id
33
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Tradename
MDmesh
RoHS
Details
Base Product Number
STB50
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
操作温度
-10°C ~ 70°C
系列
SXT214
包装
Reel
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
类型
兆赫晶体
子类别
MOSFETs
技术
Si
频率
26 MHz
频率稳定性
±20ppm
ESR(等效串联电阻)
100 Ohms
负载电容
12pF
操作模式
Fundamental
功率耗散
250
频率容差
±10ppm
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
91mOhm @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2300 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
52.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±25V
产品类别
MOSFET
信道型
N通道
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
STB50N65DM6拓展信息
STMicroelectronics
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