STMicroelectronics STB70NF03L-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

基本部件号

STB70N

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.5m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 5V

上升时间

165ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±18V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

70A

栅极至源极电压(Vgs)

18V

漏极-源极导通最大电阻

0.0095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant