STMicroelectronics STB8NC50T4
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STB8NC50T4
2381-STB8NC50T4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
--最小包装量--
STB8NC50T4详情
STMicroelectronics STB8NC50T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
135 W
上升时间
14 ns
连续放电电流(ID)
8 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
500 V
漏源电阻
850 mΩ
STB8NC50T4拓展信息
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