STMicroelectronics STB8NM60N

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

电阻

650mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

雪崩能源评级

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STB8N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅