STMicroelectronics STD10NF06L
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STD10NF06L
2381-STD10NF06L
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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10A, 60V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
1最小包装量--
STD10NF06L详情
STMicroelectronics STD10NF06L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
10 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.14 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
30 W
STD10NF06L拓展信息
STMicroelectronics
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Thomson-CSF Compsants Specific
STMicroelectronics
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