STMicroelectronics STD10NF30
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STD10NF30
2381-STD10NF30
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
--最小包装量--
STD10NF30详情
STMicroelectronics STD10NF30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
103W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STD10
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
330m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
300V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10A
漏极-源极导通最大电阻
0.33Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
DS 击穿电压-最小值
300V
雪崩能量等级(Eas)
175 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STD10NF30拓展信息
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