STMicroelectronics STD1HNC60T4
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STD1HNC60T4
2381-STD1HNC60T4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
--最小包装量--
STD1HNC60T4详情
STMicroelectronics STD1HNC60T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
50W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerMESH™ II
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
600V
额定电流
2A
基本部件号
STD1HN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
228pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15.5nC @ 10V
上升时间
8.5ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
STD1HNC60T4拓展信息
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