STMicroelectronics STD3NM60
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STD3NM60
2381-STD3NM60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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3A, 600V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
--最小包装量--
STD3NM60详情
STMicroelectronics STD3NM60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
42 W
接通延迟时间
9 ns
漏源电压 (Vdss)
600 V
连续放电电流(ID)
3 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
双电源电压
600 V
输入电容
324 pF
漏源电阻
1.5 Ω
栅源电压
4 V
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
达到SVHC
无SVHC
STD3NM60拓展信息
STMicroelectronics
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