STMicroelectronics STD55N4F5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

8.5MOhm

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD55N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5m Ω @ 27.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

55A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅