STMicroelectronics STD5N80K5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD5N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.75 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

177pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

165 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant