STMicroelectronics STD5NB30
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STD5NB30
2381-STD5NB30
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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5A, 300V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
--最小包装量--
STD5NB30详情
STMicroelectronics STD5NB30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
55 W
上升时间
8 ns
连续放电电流(ID)
5 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
300 V
漏源电阻
900 mΩ
STD5NB30拓展信息
STMicroelectronics
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