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'std5nk52zd1'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

晶体管元件材料

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

附加功能

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

元素配置

操作模式

功率耗散

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

雪崩能量等级(Eas)

RoHS状态

STD5NK52ZD-1
STD5NK52ZD-1
STMicroelectronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SILICON

4.4A Tc

10V

1

70W Tc

23.1 ns

-55°C~150°C TJ

Tube

SuperMESH™

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

3

EAR99

1.22Ohm

Matte Tin (Sn) - annealed

雪崩 额定

260

not_compliant

未说明

3

R-PSIP-T3

不合格

Single

增强型MOSFET

70W

N-Channel

SWITCHING

1.5 Ω @ 2.2A, 10V

4.5V @ 50μA

529pF @ 25V

16.9nC @ 10V

13.6ns

±30V

15 ns

4.4A

30V

520V

17.6A

170 mJ

ROHS3 Compliant