STMicroelectronics STD70N02L-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ III

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低阈值

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STD70N

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

130ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant