STMicroelectronics STD70N03L-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ III

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.9mOhm

端子表面处理

TIN

附加功能

低阈值

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STD70N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.3m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 5V

上升时间

95ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

70A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant