STMicroelectronics STD90N03L-1
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STD90N03L-1
2381-STD90N03L-1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
--最小包装量--
STD90N03L-1详情
STMicroelectronics STD90N03L-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
95W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
STripFET™ III
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低阈值
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STD90
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
95W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.7m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2805pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 5V
上升时间
135ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0057Ohm
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STD90N03L-1拓展信息
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