STMicroelectronics STE110NS20FD

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500W Tc

Turn Off Delay Time

245 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MESH OVERLAY™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

110A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STE1

引脚数量

4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

504nC @ 10V

上升时间

130ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

140 ns

连续放电电流(ID)

110A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

750 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant