STMicroelectronics STE250NS10

包装/外壳

ISOTOP

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

500W Tc

Turn Off Delay Time

1.1 μs

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220A Tc

包装

Tube

系列

STripFET™

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.5mOhm

电压 - 额定直流

100V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

220A

基本部件号

STE250

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

110 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5m Ω @ 125A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

31000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

900nC @ 10V

上升时间

380ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

300 ns

连续放电电流(ID)

220A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

880A

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

宽度

25.5mm

长度

38.2mm

高度

9.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅