STMicroelectronics STE26NA90
- 收藏
- 对比
STE26NA90
2381-STE26NA90
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOTOP
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
1最小包装量--
STE26NA90详情
STMicroelectronics STE26NA90重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
450W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL 认证
电压 - 额定直流
900V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
26A
基本部件号
STE26
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
40 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
300m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.75V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1770pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
660nC @ 10V
上升时间
52ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
26A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.3Ohm
雪崩能量等级(Eas)
3000 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
STE26NA90拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。