STMicroelectronics STE40NK90ZD
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STE40NK90ZD
2381-STE40NK90ZD
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOTOP
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MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
--最小包装量--
STE40NK90ZD详情
STMicroelectronics STE40NK90ZD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
600W Tc
Turn Off Delay Time
450 ns
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFREDmesh™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
Screw
ECCN 代码
EAR99
电阻
170mOhm
端子表面处理
Nickel (Ni)
电压 - 额定直流
900V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
40A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STE40
引脚数量
4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
600W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
25000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
826nC @ 10V
上升时间
102ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
200 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
900V
双电源电压
900V
栅源电压
3.75 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
STE40NK90ZD拓展信息
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