STMicroelectronics STE48NM60
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STE48NM60
2381-STE48NM60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOTOP
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MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
1最小包装量--
STE48NM60详情
STMicroelectronics STE48NM60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
48A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
450W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
电压 - 额定直流
600V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
48A
基本部件号
STE48
引脚数量
4
JESD-30代码
R-XUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 22.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
134nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
48A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
30A
漏极-源极导通最大电阻
0.11Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
192A
雪崩能量等级(Eas)
850 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
STE48NM60拓展信息
STMicroelectronics
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