STMicroelectronics STF13NM60N-H

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

30 ns

Power Dissipation (Max)

25W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

系列

MDmesh™ II

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

基本部件号

STF13

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无