STMicroelectronics STF14NM65N
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STF14NM65N
2381-STF14NM65N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
--最小包装量--
STF14NM65N详情
STMicroelectronics STF14NM65N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
30W Tc
Turn Off Delay Time
55 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STF14
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
30W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
13ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
12A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STF14NM65N拓展信息
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