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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.145908
10
¥11.458403
100
¥10.809814
500
¥10.197941
1000
¥9.620698
STMicroelectronics STF18N65DM2
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- 对比
STF18N65DM2
2381-STF18N65DM2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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Transistor MOSFET N-Channel 650V 12A 3-Pin TO-220FP Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STF18N65DM2详情
STMicroelectronics STF18N65DM2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商器件包装
TO-220FP
Continuous Drain Current Id
12
Package
Bulk
Base Product Number
STF18
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)
28W (Tc)
Product Status
活跃
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Manufacturer
STMicroelectronics
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
温度系数
20 ppm/°C
电阻
22 Ohm
子类别
MOSFETs
额定功率
20 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散
28
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
295mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
965 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±25V
产品类别
MOSFET
电阻公差
1
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
产品长度
49.23
产品宽度
27.43
STF18N65DM2拓展信息
STMicroelectronics
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