STMicroelectronics STH15NB50FI

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOWATT-218-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

系列

PowerMESH™

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STH15N

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 7.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

10.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.36Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

58.4A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅