STMicroelectronics STI18N60M2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STI18N

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13A

漏极-源极导通最大电阻

0.28Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

135 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

ROHS3 Compliant