STMicroelectronics STI28N60M2

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

170W Tc

Number of Elements

1

系列

MDmesh™ M2

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

基本部件号

STI28N

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 11A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1440pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

350 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant