STMicroelectronics STK20N75F3
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STK20N75F3
2381-STK20N75F3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
PolarPak®
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MOSFET N-CH 75V 20A POLARPAK
1最小包装量--
STK20N75F3详情
STMicroelectronics STK20N75F3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PolarPak®
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
5.2W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.9mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STK20
引脚数量
10
JESD-30代码
R-XDSO-N4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
5.2W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80A
雪崩能量等级(Eas)
600 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STK20N75F3拓展信息
STMicroelectronics
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