STMicroelectronics STK850
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STK850
2381-STK850
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
PolarPak®
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MOSFET, N CH, 30V, 30A, POLARPAK
--最小包装量--
STK850详情
STMicroelectronics STK850重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PolarPak®
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
5.2W Tc
Turn Off Delay Time
31 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.9mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
30A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
STK8
引脚数量
10
JESD-30代码
R-XDSO-N4
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
5.2W
箱体转运
SOURCE
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.9m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32.5nC @ 4.5V
上升时间
57ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
栅源电压
2.5 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STK850拓展信息
STMicroelectronics
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