STMicroelectronics STL15N3LLH5
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STL15N3LLH5
2381-STL15N3LLH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
--最小包装量--
STL15N3LLH5详情
STMicroelectronics STL15N3LLH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta 50W Tc
Turn Off Delay Time
22.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STL15
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
50W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.4m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 4.5V
上升时间
14.5ns
Vgs(最大值)
±22V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
15A
栅极至源极电压(Vgs)
22V
漏极-源极导通最大电阻
0.007Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL15N3LLH5拓展信息
STMicroelectronics
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