STMicroelectronics STL19N60M6

安装类型

通孔

包装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件包装

PowerFlat™ (8x8) HV

Channel Mode

Enhancement

Brand

STMicroelectronics

Base Product Number

STL19

Continuous Drain Current Id

11

Continuous Drain Current

11(A)

Drain-Source On-Volt

600(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

POWER FLAT EP

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±25(V)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

表面贴装

MSL

MSL 3 - 168 hours

Qualification

-

Number of Elements per Chip

1

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

STMicroelectronics

Tradename

MDmesh

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

STMicroelectronics

Power Dissipation (Max)

90W (Tc)

Product Status

活跃

系列

AMPMODU Mod II

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

活跃

终端

Solder

类型

功率MOSFET

定位的数量

8

颜色

Black

行数

2

子类别

MOSFETs

螺距

0.100 (2.54mm)

技术

Si

引脚数量

5

极性

N

触点表面处理 - 柱子（配套）

Gold

行间距

0.100 (2.54mm)

功率耗散

90

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

308mOhm @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.75V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.8 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±25V

产品类别

MOSFET

信道型

N通道

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

长度-堆积高度

0.400 (10.160mm)

长度 - 整体针脚

0.817 (20.752mm)

长度 - 柱子（配接）

0.330 (8.382mm)

触点表面处理厚度 - 柱子（配套）

15.0µin (0.38µm)

长度-尾部

0.087 (2.210mm)