STMicroelectronics STL210N4F7AG
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STL210N4F7AG
2381-STL210N4F7AG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
--最小包装量--
STL210N4F7AG详情
STMicroelectronics STL210N4F7AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL210
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
120A
漏极-源极导通最大电阻
0.0016Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
DS 击穿电压-最小值
40V
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL210N4F7AG拓展信息
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