STMicroelectronics STL26N65DM2
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STL26N65DM2
2381-STL26N65DM2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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N-CHANNEL 650 V, 0.182 OHM TYP.,
1最小包装量--
STL26N65DM2详情
STMicroelectronics STL26N65DM2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
140W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
活跃
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
206m Ω @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1480pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
达到SVHC
compliant
RoHS状态
符合RoHS标准
STL26N65DM2拓展信息
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