STMicroelectronics STL6NM60N

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ II

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

基本部件号

STL6

引脚数量

12

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

920m Ω @ 2.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

420pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

5.75A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏极-源极导通最大电阻

0.92Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

23A

雪崩能量等级（Eas）

65 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅