STMicroelectronics STLD200N4F6AG

工厂交货时间

20 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerWDFN

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

158W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STLD20

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10700pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

172nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120A

漏极-源极导通最大电阻

0.002Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant