STMicroelectronics STN3P10F6
- 收藏
- 对比
STN3P10F6
2381-STN3P10F6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

SOT 223
1最小包装量--
STN3P10F6详情
STMicroelectronics STN3P10F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
SOT-223
厂商
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3.3W
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 175°C
零件状态
活跃
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
STN3P10F6拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics







哦! 它是空的。