STMicroelectronics STN5PF02V

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

STN5P

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

电压

20V

元素配置

Single

电流

42A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 2.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

450mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

412pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 2.5V

上升时间

47ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

4.2A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

漏源击穿电压

-20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅