STMicroelectronics STP120NH03L

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

48 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低阈值

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

STP120

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

77nC @ 10V

上升时间

95ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

60A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0105Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant