STMicroelectronics STP36N60M6

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

208W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

MDmesh™ M6

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STP36N

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

99m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.75V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1960pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.099Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

102A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

750 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant