STMicroelectronics STP5NB40

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

400V

额定电流

4.7A

基本部件号

STP5N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 2.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

405pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

4.7A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

400V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅