STMicroelectronics STP60NF03L

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

30V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

60A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STP60N

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 5V

上升时间

250ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

1.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

650 mJ

恢复时间

75 ns

高度

9.15mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅